CENTRUL DE CERCETARE PENTRU MODELARE SI SIMULARE IN NANOELECTRONICA

Nanoelectronica reprezinta o tehnologie strategica considerand aria larga a aplicatiilor in sisteme de calcul, comunicatii si electronica de larg consum. In industria semiconductorilor, tehnologia CMOS va continua sa detina o pozitie predominanta pe piata chiar si dupa 2012. Totusi exista un numar de dificulati tehnologice care trebuie rezolvate daca tehnologia CMOS va ajunge la o lungime a canalului de 35nm si o densitate de 108 tranzistori pe cm2 asa cum arata previziunile pentru anul 2012. Aceasta situatie deschide calea pentru nanodispozitive alternative care sa fie integrate in circuitele integrate CMOS pentru a-i imbunatati functionalitatea.

Dispozitive bazate pe tehnologii experimentale care pot fi luate in considerare drept elemente de circuit nanoelectronice sunt de exemplu dispozitivele SET (Single Electron Tunneling), Nanoelectronica moleculara, Calcul cuantic. Totusi, multe din aplicatiile potentiale in nanoelectronica necesita inca investigatii suplimentare pana a fi considerate tehnologii mature cu aplicatii in practica. Din aceasta cauza, cercetarea stiintifica si aplicata trebuie sa fie accelerata pentru a indeplini conditiile pentru implementarea industriala, in special pentru determinarea tehnicilor aplicabile in circuitele integrate pe scara larga.

In aceasta directie, modelarea comportamentului acestor posibile nanodispozitive este din ce in ce mai importanta pentru a permite:

Obiective

Obiectivele principale ale centrului de cercetare MODSIMNANO sunt:

Colectivul centrului

Colaboratori principali:

Raport de activitate

Raportul de autoevaluare din anul 2010

Pentru informatii suplimentare despre centrul MODSIMNANO contactati: Prof. Irinel Casian-Botez (icasian@etti.tuiasi.ro)